Transistor B649 TO-126 1.5A 160V Loại Tốt

Transistor B649 TO-126 1.5A 160V Loại Tốt

Xét về cấu tạo Transistor PNP gồm 3 thành phần bán dẫn P-N-P ghép với nhau. Trong đó cực Base - cực nền nằm giữa tương ứng với bán dẫn N, còn cực Collector - cực thu và cực Emitter - cực phát nằm hai bên. 
Các cực Base viết tắt là B, cực Collector viết tắt là C, cực Emitter viết tắt là E. Chúng ta nên chú ý chiều của mũi tên đi vào E qua B ra C. Bản chất C và E là cùng loại bán dẫn của P nhưng kích thước, nồng độ bán dẫn khác nhau nên không thể hoán đổi vị trí cho nhau.

Nguyên lí hoạt động của Transistor PNP tương tự như NPN nhưng cực tính của PNP ngược lại với NPN. Dòng điện đi qua PNP là đi từ E sang C nhưng dòng điện đi qua E và B tỉ lệ nghịch với nhau. Khi B cực đại thì E = 0 A và ngược lại E cực đại thì B = 0 A

Thông số kỹ thuật: 
- Loại Designator: 2SB649A
- Chất liệu của Transistor: Si
- Phân cực: PNP
- Tối đa tản quyền lực thu: (Pc), W: 20
- Tối đa điện áp collector-base | UCB |, V: 180
- Tối đa điện áp collector-emitter | UCE |, V: 160
- Điện áp tối đa emitter-base | Trường ĐHKT |, V:
- Tối đa thu hiện tại | Ic max |, A: 1,5- Maksimalna nhiệt độ (Tj), ° C: 150
- Tần số chuyển đổi (ft), MHz: 140
- Collector điện dung (Cc), pF: 27
- Chuyển tiếp tỷ lệ chuyển nhượng hiện tại (hFE), min: 60
- Gói 2SB649A transistor: TO126