H25R1203 IGBT 25A 1200V T0-247
IGBT ( viết tắt của cụm từ tiếng anh Insulated Gate Bipolar Transistor) là Transistor có cực điều khiển cách ly là loại linh kiện bán dẫn công suất 3 cực. IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và có khả năng chịu tải lớn của Transistor thông thường. IGBT cũng là phần tử được điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực bé.
Tính năng sản phẩm
- H25R1203 IGBT 25A 1200V T0-247 là linh kiện điện tử bán dẫn công suất 3 cực.
- Là một trong những transistor kích xung điều khiển rất quan trọng sử dụng trong bếp từ. Nhờ vào cấu tạo đặc biệt giúp
- H25R1203 có khả năng đóng cắt nhanh như một Mosfet, vừa có công suất chịu tải lớn như một transistor thường
Thông số kĩ thuật:
- Điện áp cực đại VCE = 1200V
- Dòng điện cực đại IC: 40A (ở nhiệt độ 25ºV) 25A (ở nhiệt độ 100ºC)
- Dải nhiệt độ hoạt động: -40ºC~175ºC- VGE = 25V
- Thời gian trễ: 359ns
- Công suất: 310W
- Kiểu chân cắm: T0-247