Transistor 10N60C FQPF Mosfet 10A 600V TO-220F

Transistor 10N60C FQPF Mosfet 10A 600V TO-220F

Mosfet 10N60 là mosfet kênh N hay mosfet ngược, được đóng gói theo chuẩn TO-220

Mosfet 10N60C là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet 10N60 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

Thông số kỹ thuật: 
- Điện áp đánh thủng: 600V
- Điện áp VGS = +/- 30V
- Dòng chịu đựng trung bình: 9.5A
- Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.
- Công suất: 156W